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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Fe掺杂CoSb_3化合物的热电性能及电子结构研究显示文摘采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算。结果表明:在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3-0.5之间;CoSb3的费米面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为p型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co3.7Fe0.3Sb12化合物的功率因子在600 K时出现1406.31μW/m.K2的最高值,是未掺杂试样的功率因子最高值的7.4倍。	朱云广沈鸿烈陈海力鲁林峰管浩	2011	人工晶体学报2011，40，2：	0

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