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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	高能质子源靶用氢化铒薄膜制备过程影响因素显示文摘采用两步法制备了高能质子源靶用氢化铒薄膜。并研究了氢化时间、氢化速度等因素对氢化铒薄膜质量的影响。XRD结果显示,只有氢化时间超过24h才能获得较纯净的氢化铒薄膜。将氢化反应温度和氢气压力控制在适当范围内,使得铒薄膜缓慢被氢化并使得氢化过程所产生的应力缓慢释放,可获得较完整的氢化铒薄膜。所获得的5~15μm氢化铒薄膜已经应用于高能质子束的产生实验,取得了良好的实验结果。	付志兵王朝阳李朝阳张厚琼杨曦许华	2011	强激光与粒子束2011，23，8：	0

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