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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计显示文摘利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。	张万荣何莉剑谢红云杨经伟金冬月肖盈沙永萍王扬张蔚	2006	微电子学2006，36，5：	1

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