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时间 1989 - 2010 学科选择学科
题名/关键词 模糊
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1THz量子级联激光器的材料生长和器件制作显示文摘采用分子束外延的方法,生长了GaAs/Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构,并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内,测量了器件的I-V曲线。韩英军 黎华 谭智勇 曹俊诚 2007功能材料2007，38，A01：0
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