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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	多晶硅纳米薄膜电学特性的实验研究显示文摘用低压化学气相淀积(LPCVD)法淀积了膜厚为60~250nm的多晶硅纳米薄膜,研究了膜厚和掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学特性的影响。结合扫描电镜(SEM)图片,在电阻率与电阻率温度系数测试结果的基础上,分析了膜厚和掺杂浓度对薄膜电学特性的影响。结果表明:重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的温度特性,电阻率温度系数可达到1×10-4~3×10-4/℃的水平。	刘晓为李金锋揣荣岩施长治陆学斌吴娅静	2008	传感器与微系统2008，27，8：	0

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