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1弱酸环境下硅纳米线的水热可控合成及其光学性能显示文摘以去离子水为溶剂,SiO为硅源,调节溶液的pH为6,加热至470℃,8 MPa保温8 h,成功制备出硅纳米线。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射显微镜(TEM)对硅纳米线进行了结构和形貌表征,采用光致发光(PL)光谱分析了硅纳米线的光学性能。结果表明:硅纳米线为立方金刚石结构,其生长端呈半圆形的闭合结构,纳米线由晶面间距约0.31nm的晶体硅内核与厚度小于10 nm的无定形氧化硅外鞘两部分组成;PL光谱显示硅纳米线在431 nm和462 nm处具有良好的发光性能。周诗文 唐元洪 郭池 2013现代化工2013,33,11:0
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