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| 1 | F离子注入新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMT器件耐压分析显示文摘为了缓解AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMT)器件n型GaN缓冲层高的泄漏电流,本文提出了具有氟离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMT器件新结构.首先分析得出n型GaN缓冲层没有受主型陷阱时,器件输出特性为欧姆特性,这样就从理论和仿真方面解释了文献生长GaN缓冲层掺杂Fe,Mg等离子的原因.利用器件输出特性分别分析了栅边缘有和没有低掺杂漏极时,氟离子分别注入源区、栅极区域和漏区的情况,得出当氟离子注入源区时,形成的受主型陷阱能有效俘获源极发射的电子而减小GaN缓冲层的泄漏电流,击穿电压达到262V.通过减小GaN缓冲层体泄漏电流,提高器件击穿电压,设计具有一定输出功率新型AlGaN/GaN HEMT提供了科学依据. | 段宝兴 杨银堂 陈敬 | 2012 | 物理学报2012，61，22： | 11 |
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