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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响显示文摘采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的Zn O(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响。制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力。随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3Ωcm。不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90%,薄膜具有优异的光学特性。	龚丽刘云珍	2016	湖南有色金属2016，32，3：	2

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