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| 1 | 基于密度泛函理论的氧空位碘酸氧铋增强光催化性能研究显示文摘针对具有强氧化性的碘酸氧铋(BiOIO_(3))存在带隙较大、光响应范围小等缺陷,限制了其在燃煤电厂烟气重金属污染物排放控制方面发展的问题,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了不同位置的氧空位对BiOIO_(3)光催化活性的影响,对其结构特征、能带结构、电子态密度和光吸收光谱进行了分析。结果表明:构建氧空位后,晶体的带隙宽度变窄;引入杂质能级作为电子跃迁的桥梁后,价带中的电子吸收较小能量便可跃迁到导带。相比纯BiOIO_(3),存在氧空位的晶体材料在可见光区域和紫外光区域的吸收系数都有明显提高,光催化活性明显增强。 | 凌晓定 刘育林 凌杨 吴江 | 2023 | 动力工程学报2023,43,4: | 1 |
| 2 | 硼、氮掺杂的二硫化钼用于氧还原电催化研究显示文摘对于碱性燃料电池的阴极反应,开发具有优异催化性能的新型催化剂至关重要。本工作采用一种简单的热解方法合成了硼、氮掺杂的二硫化钼(B,N-MoS_(2))材料并将其应用于氧还原(ORR)电催化分析。通过循环伏安法(CV)与线性扫描伏安法(LSV)等电化学分析方法,采用旋转盘电极(RDE)与旋转环盘电极(RRDE)等技术测试了该材料的氧还原催化活性。结果表明,制备的B,N-MoS_(2)材料提高了ORR电催化活性与稳定性,而且是一个近4e^(-)的路径。本工作可为有关提高燃料电池阴极氧还原催化性能的研究提供参考。 | 左玲霞 权菲芸 王佩 苟国敬 | 2022 | 化学通报2022,85,2: | 1 |
| 3 | Te-mediated electro-driven oxygen evolution reaction显示文摘In the 21^(st)century,the rapid development of human society has made people’s demand for green energy more and more urgent.The high-energy-density hydrogen energy obtained by fully splitting water is not only environmentally friendly,but also is expected to solve the problems caused by the intermittent nature of new energy.However,the slow kinetics and large overpotential of the oxygen evolution reaction(OER)limit its application.The introduction of Te element is expected to bring new breakthroughs.With the least electronegativity among the chalcogens,the Te element has many special properties,such as multivalent states,strong covalentity,and high electrical conductivity,which make it a promising candidate in electrocatalytic OER.In this review,we introduce the peculiarities of Te element,summarize Te doping and the extraordinary performance of its compounds in OER,with emphasis on the scientific mechanism behind Te element promoting the OER kinetic process.Finally,challenges and development prospects of the applications of Te element in OER are presented. | Feng Gao Jiaqing He Haowei Wang Jiahui Lin Ruixin Chen Kai Yi Feng Huang Zhang Lin Mengye Wang | 2022 | Nano Research Energy2022,1,3: | 1 |
| 4 | Ag掺杂对单层MoS_2的电子结构和光学性质影响显示文摘基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS_2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS_2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.63 eV;Ag掺杂后,Ag 4d与S 3p,Mo 4d发生轨道杂化,在费米能级处产生了多条杂化能级,表现为半金属特性,其中吸收峰、反射峰和能量损失峰峰值均有不同程度减小并向低能方向发生偏移,计算结果为Ag掺杂单层MoS_2的光电子器件制备提供了理论依据. | 黄保瑞 张富春 杨延宁 | 2018 | 河南科学2018,36,4: | 0 |
| 5 | 掺杂对MoS_(2)吸附H_(2)的电子结构影响显示文摘本文应用Materials Studio软件对MoS_(2)分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS_(2)材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS_(2)-H_(2)、MoS_(2)-H_(2)、N-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2),即O-MoS_(2)-H_(2)的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS_(2)电子结构,MoS_(2)-H_(2)、O-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2)能隙值处于0~2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS_(2)-H_(2)能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是S、Mo态电子贡献,掺杂原子相比S、Mo态电子贡献很少,且O、N、Si态电子贡献程度依次降低。 | 姜艳 刘贵立 王天爽 韩晶晶 王佼 沈杰 | 2022 | 物理与工程2022,32,1: | 0 |