纳米器件阈值电压提取方法

查看全文 作　　者：杨慧 [1,2 ][1,2]郭宇锋索引洪洋 [1,2 ] 机构地区：[1]江苏省射频集成与微组装工程实验室,南京江苏210046;[2]南京邮电大学电子科学与工程学院,南京江苏210046 出　　处：《功能材料与器件学报》索引2014年第20卷第1期,共9页 摘　　要：阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提取方法,分别利用它们提取了FinFET和JLT不同沟道长度的阈值电压,讨论了这些方法在提取两种现代MOS器件阈值电压时的有效性和局限性。 关 键 词：阈值电压提取 FINFET Junctionless TRANSISTOR