BaTiO_3/SrTiO_3多层膜的制备及其介电性质

查看全文 作　　者：[1]葛水兵;[1]宁兆元 机构地区：[1]苏州大学物理系,江苏苏州215006 出　　处：《功能材料》索引2004年第35卷第6期,共3页 基　　金：国家自然科学基金资助项目(10204016);苏州大学青年教师研究基金资助项目(Q3108303) 摘　　要：采用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaTiO3/SrTiO3(BTO/STO)多层膜。XRD结果表明:多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0.5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平。室温下频率为10kHz时,BTO/STO(n=6)多层膜的相对介电常数为506,而介电损耗仅为0.033。薄膜的C V特性研究表明:多层膜呈现出较好的电容调谐度。 关 键 词：多层膜 介电性质 脉冲激光沉积