用直流中空阴极放电方法 (DC HCD)生长的纳米级碳的氮化物薄膜研究(英文)

查看全文 作　　者：YAN [1]Y.H.;SHI [1]Y.C.;YANG [1]P.;TANG [1]X.L.;FENG [1]P.X. 机构地区：[1]Department of Physics,Donghua University,Shanghai 200051, P.R.China,Department of Physics,Donghua University,Shanghai 200051, P.R.China,Department of Physics,Donghua University,Shanghai 200051, P.R.China,Department of Physics,Donghua University,Shanghai 200051, P.R.China,Department of Physics,Donghua University,Shanghai 200051, P.R.China 出　　处：《光散射学报》索引2005年第17卷第1期,共3页 关 键 词：氮化物薄膜 放电方法 中空阴极 纳米级 直流 生长 碳