高非线性光子晶体光纤中布拉格光栅的制作

查看全文 作　　者：[1]桑新柱;[1]余重秀;[1]王葵如;[2]M.K.Islam;[3]吕乃光

机构地区：[1]北京邮电大学电子工程学院,北京100876;[2]香港城市大学光电子科技研究中心;[3]北京机械工业学院电子信息工程系,北京100085

出　　处：《光学精密工程》索引2005年第13卷第6期,共4页

基　　金：国家973计划(No.2003CB314906);CityStrategicResearchGrantforFundableCERG(No.9040707);北京市教委科技发展计划(No.200411232005)项目资助 摘　　要：采用相位掩模版法实验研究了高非线性掺锗光子晶体光纤中布拉格光栅的制作。实验中采用的光子晶体光纤的非线性系数约为12 W-1km-1,模场直径约为2.4 mm。分析了布拉格光栅的反射率随着曝光脉冲数的变化,随着曝光脉冲数的增加其反射率逐渐达到饱和,继续增加曝光量发射率开始下降。实验验证了可以在高非线性光子晶体中写入布拉格光栅,得到光栅的反射率为44.4%,这对于研究光纤布拉格光栅的非线性效应和应用具有重要意义。讨论了影响布拉格光栅写入效率的因素。 关键词：光子晶体光纤布拉格光栅非线性

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