晶体硅太阳电池SIN:H减反射层的大规模在线溅射镀膜

查看全文 作　　者：Winfried Wolke;Alexander Jaeckle;Ralf Preu;Stephan Wieder;Manfred Ruske 出　　处：《太阳能》索引2005年第6期,共4页 摘　　要：1引言 大多数多晶硅太阳电池的减反射膜都是用增强的等离子化学气相沉积法(PECVD)沉积的掺氢氮化硅膜层(Sinx:H).和其它减反射膜(如二氧化钛)相比,Sinx:H的优点是它具有很好的表面和体钝化功能.除了这些优点之外,PECVD技术有几个显著的缺点,主要是PECVD工艺使用爆炸性气体以及维护周期较短,同时PECVD技术在大面积在线镀膜时的膜厚均匀性也存在问题,这些问题使人们对采用不同的沉积技术产生了兴趣.由于对不同材料在大面积基片上采用溅射镀膜具有高产能、良好的均匀性和较长的维护周期等优势,因此溅射技术成为在太阳电池片上沉积Sinx:H膜层的较为理想的方式. 关 键 词：晶体硅太阳电池 溅射镀膜 在线镀膜 减反射层 化学气相沉积法 PECVD技术 多晶硅太阳电池 膜厚均匀性 减反射膜 SINX