New Bi-metallic Single Source Precursors for the Deposition of Thin Films of Semiconductor Ceramics

查看全文 作　　者：[1]U.Salma;[1]M.Mazhar;[2]J.I.Akhter;[2]Z.Ali 机构地区：[1]Department of Chemistry,Quaid-i-Azam University,Islamabad 45320,Pakistan;[2]Physics Division,Pakistan Institute of Nuclear Science and Technology,P.O.Nilore,Islamabad,Pakistan 出　　处：《Journal of Materials Science & Technology》索引2007年第23卷第2期,共5页 摘　　要：为薄 filmsof 的免职的稳定的二进制单身的来源先锋( SSP )作文 SnO-GeO 的陶器的半导体被靠近的电路化学药品 vapourdeposition ( CCCVD )综合 method.Elemental 分析和分光镜的技术习惯于 characterizethe precursors.Scanning 电子显微镜学( SEM )和精力散光谱学(版本) employedto 描绘薄 films.Resistivity 大小被进行出现电影 areof 半导体的自然。 关 键 词：铋-金属单源前驱物 半导体陶瓷薄膜 沉积 CCCVD