用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜

查看全文 作　　者：[1]张丽伟;[1]李红菊;[2]李瑞;[1]卢景霄;[1]张宇翔;[1]王新昌

机构地区：[1]郑州大学教育部材料物理重点实验室;[2]河南工业大学化工学院,河南郑州450042

出　　处：《半导体光电》索引2007年第28卷第4期,共3页

基　　金：国家'973'计划资助项目(2006202601) 摘　　要：用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。 关键词：硅薄膜柱状结晶快速热退火扫描电子显微镜

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