二维流体模型的建立及其在微晶硅薄膜中的应用

查看全文 作　　者：[1]张发荣 [1]张晓丹索引Amanatides [2]E Matras [2]D [1]赵颖索引

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071;[2]希腊帕特雷大学等离子体技术实验室,帕特雷26500

出　　处：《光电子.激光》索引2008年第19卷第2期,共5页

基　　金：国家自然科学基金项目(60506003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB202602,2006CB202603);科技部国际合作重点资助项目(2006DFA62390;教育部新世纪人才计划的资助;天津市自然科学基金资助项目(05YFJMJC01600);南开大学博士启动基金资助项目(J02031) 摘　　要：建立二维流体模型,研究甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCVD)高速沉积氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜。模型采用平行电容耦合放电方式。模拟条件与实验条件相同,均为甚高频(70MHz)、高H2稀释SiH4和高压耗尽区域。模型的几何结构是根据实际高速沉积μc-Si:H薄膜的反应腔室建立的。模型是自适应的,建立在玻尔兹曼方程和泊松方程基础之上,包含87个气相反应和25个表面反应。将模拟沉积速率与相同实验条件下的结果相比较,结果发现,模型在微晶区域运行结果与实验结果吻合得很好。 关键词：甚高频等离子体化学气相沉积(VHF-PEVCD) 微晶硅二维流体模型

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