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布局对EMI滤波器性能影响的研究

查看全文 作  者:[1]陈恒林 [1]钱照明索引Zeng  [2]Zhaohui Christian  [2]Wolf 高影响力作者 机构地区:[1]浙江大学电气工程学院,杭州310027;[2]GRUNDFOSManagementA/SBjerringbro高影响力机构 出  处:《电工技术学报》索引2008年第23卷第8期,共7页高影响力期刊 基  金:国家自然科学基金资助项目(50077020) 摘  要:由于近场耦合效应的影响,EMI滤波器元件相同但是布局不同时,在滤波性能上会表现出极大的差异。EMI滤波器对电磁场非常敏感,因此它的布局设计是非常关键的。本文以π型滤波器为研究对象,对几种典型布局情况下的滤波性能进行了比较研究。通过有限元分析软件提取了不同布局情况下的近场耦合参数,建立了包含近场耦合参数的滤波器高频模型,借助该模型可以对滤波器在150kHz~30MHz频率范围内的性能进行准确的预测。仿真和实验结果表明,滤波器中电容引线长度、接地情况和安放位置以及PCB输入输出走线的布置对滤波性能有重要的影响。 关 键 词:EMI滤波器 近场耦合 布局 滤波性能
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