电迁移导致的塑封IC失效

查看全文 作　　者：William [1]Eslinger 机构地区：[1]Boston Scientific,St.Paul,Minn. 出　　处：《集成电路应用》索引2008年第25卷第11期,共4页 摘　　要：一个八脚小型晶体管封装的商业CMOS数字电位器IC在工作大约1个月后出现了场失效。系统失效分析结果证实了失效机制:制造完成后,塑料封装内部发生金属迁移。引线框架上的镀银已溶解,重新沉积至封装内部的黏晶环氧树脂和塑料壳之间的界面边界上,成为金属“梁”。这些金属梁在邻近的引线框架脚间形成低阻电气连接,可以传输数百微安的电流(图1)。 关 键 词：失效机制 IC 电迁移 塑封 金属迁移 塑料封装 引线框架 数字电位器