跃变比判别热解Si-C-N陶瓷EELS定量分析的有效性

查看全文 作　　者：[1]李凌燕;[1]顾辉;VESNA [2]Srot;PETER van [2]Aken

机构地区：[1]中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050;[2]Max-Planck-InstituteforMetalResearch,StuttgartCenterforElectronMicroscopy

出　　处：《电子显微学报》索引2009年第28卷第2期,共7页

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.50525205和50632070)~~ 摘　　要：电子能量损失谱(EELS)分析方法的运用为材料研究领域提供了有力的定性和定量手段。通过对内壳层电子激发谱跃变比的计算,能够获得样品相对厚度的参考信息。这一方法弥补了实验条件在同步采集等离子激发谱和内壳层电子激发谱方面的局限性,并为辨别EELS定量的可靠性提供依据。本文以Si3N4为例,对跃变比随样品相对厚度的变化规律进行了研究,并在低于最佳样品厚度的范围内得到了可靠的定量结果。类似的跃变比变化规律能够运用于成份均一的Si-C-N热解样品,然而对于非均一的Si-C-N退火样品则不适用。 关键词：电子能量损失谱(EELS) 跃变比(jump ratio) 相对厚度(relative thickness)

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