基于锗硅芯片的光电子学前景与挑战

查看全文 作　　者：Erich [1]Kasper 机构地区：[1]德国斯图加特大学半导体研究所 出　　处：《光学与光电技术》索引2010年第8卷第2期,共6页 摘　　要：作为微电子材料,硅具备许多优良的电学特性.采用硅材料的器件集成度能够比其他材料高几个数量级。然而.硅是一种间接带隙材料,其光学跃迁过程会引入大量低能的声子造成跃迁几率很低.导致其光学特性(发射与吸收)远不如Ⅲ/Ⅴ族半导体材料。 关 键 词：硅芯片 光电子学 微电子材料 半导体材料 电学特性 带隙材料 光学特性 跃迁几率