A High Performance Silicon-on-Insulator LDMOSTT Using Linearly Increasing Thickness Techniques

查看全文 作　　者：GUO Yu-[1,2]Feng;WANG Zhi-[1]Gong;SHEU [3]Gene;CHENG Jian-[2]Bing

机构地区：[1]Institute of RF- & OE-ICs, Southeast University, Nanjing 210096;[2]School of Electronics Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003;[3]Department of Computer Science & Information Engineering, Asia University, Taichung 41354

出　　处：《Chinese Physics Letters》索引2010年第27卷第6期,共4页

基　　金：Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant 60806027, China Postdoctoral Science Foundation under Grant 20070411013, Jiangsu Provincial Natural Science Foundations under Grant No BK2007605, Foundation of Jiangsu Educational Committee under Grant 09KJB510010, and State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices under Grant No KF2007001. 摘　　要：我们在场在侧面的双 diffused metal-oxide-semiconductor 晶体管完成一致侧面的电场和最大的故障电压的一种新技术在 silicon-on-insulator 上制作了底层。到排水管的从来源的线性地增加的飘移区域厚度被采用在设备改进电场分发。比作侧面的线性做技术和减少的表面地技术,新设备展出的二维的数字模拟表演减少了操作的特定的在抵抗上,最大的离开状态和在状态上故障电压,优异伪浸透特征和改进保险箱区域。[从作者抽象] 关键词：掺杂技术硅绝缘体线性厚度金属氧化物半导体性能击穿电压电场分布

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