忆阻器阻变随机存取存储器及其在信息存储中的应用

查看全文 作　　者：[1,2]段书凯索引[1]胡小方 [1]王丽丹索引[3]李传东 MAZUMDER [2]Pinaki

机构地区：[1]西南大学电子信息工程学院,重庆400715;[2]DepartmentofElectricalEngineeringandComputerScience,UniversityofMichigan;[3]重庆大学计算机学院,重庆400044

出　　处：《中国科学:信息科学》索引2012年第42卷第6期,共16页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60972155;61101233;60974020);重庆市自然科学基金(批准号:CSTC2009BB2305);中央高校基本科研业务费专项(批准号:XDJK2012A007;XDJK2010C023);重庆市高等学校青年骨干教师资助计划(渝教人(2011)65号);重庆市高等学校优秀人才支持计划(渝教人(2011)65号);西南大学博士科研资助项目(批准号:SWUB2008074);西南大学教育教学改革研究项目(批准号:2009JY053;2010JY070)资助;中国博士后科学基金(批准号:CPSF20100470116);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(批准号:09-2-011) 摘　　要：忆阻器具有依赖于激励历史的动态电阻,可以用来构造少晶体管的非易失性半导体存储器(NVSM),也称为阻变随机存取存储器(RRAM).本文提出了一种基于忆阻器的阻变随机存取存储器(MRRAM)——可与现代计算系统相兼容的纳米级二值存储器实现方案,其结构与静态随机存取存储器(SRAM)类似,但用忆阻器替代基本RS触发器存储信息.在此基础上,通过改进该MRRAM,可以实现在一个存储单元中存储多比特信息(以灰度级形式)的多值存储器,大大提高了存储密度.给出的计算机仿真和数值分析验证了本方案在存储ASCII字符和图像中的有效性,探讨了灰度图像存储的新方法. 关键词：忆阻器阻变随机存取存储器(RRAM) 电路设计二值存储多值存储计算机仿真

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