金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究

查看全文 作　　者：[1]秦明;Yuen C [2]Y;Poon Vincent M [2]C;[1]黄庆安

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096;[2]香港科技大学电子与电机工程系

出　　处：《固体电子学研究与进展》索引2001年第21卷第3期,共5页

摘　　要：详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响。结果显示 ,晶化生长速度受温度影响较大 ,其最大生长速度在 6 2 5℃附近。在较高的温度下 ,非晶自发成核和晶化 ,从而限制了金属诱导晶体生长速度。镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响。 关键词：金属诱导横向晶化晶化速度镍诱导源晶化波多晶硅生长

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