Realization of low contact resistance close to theoretical limit in graphene transistors

查看全文 作　　者：Hua Zhong Zhiyong Zhang Bingyan Chen Haitao Xu Dangming Yu Le Huang Lianmao [1]Peng

机构地区：[1]Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China

出　　处：《Nano Research》索引2015年第8卷第5期,共11页

基　　金：This work was supported by the Ministry of Sdence and Technology of China (Grant Nos. 2011CB933001 and 2011CB933002), National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61322105, 61271051, 61321001, and 61390504), and Beijing Municipal Science and Technology Commission (Grant Nos. Z131100003213021 and D141100000614001). 摘　　要：认识到在 graphene 和金属电极之间的低接触抵抗为造高效的 graphene 设备仍然是著名挑战。在这个工作,我们试图在 graphene 晶体管减少接触抵抗并且进一步探索在 graphene 和金属接触之间的抵抗限制。在房间温度的 Pd/graphene 接触抵抗在 100 ?? 下面被减少 ? ?? 汣獡 ? 愢瀭畬 ? 汰獵?? 猯'T ￣慮潮慰瑲捩敬 ? 敤潣慲整 ? 湯吠佩猼'T 挠慬獳∽ ? 汰獵瀭畬 ? 资 ? ?? 渠湡景扩牥 ? 湥 'L 敬 ? 桴 ? ?捣獥晳汵椠瑮来慲楴湯漠 ? 桴 ? 楢慮祲挠浯潰楳整椠瑮 ? 慢瑴牥敩 ? 潴愠摤敲獳猠牴 ' 壮霊 `? 瑳 'L 汩瑩 ? 湡 ? 潬 ? 慣慰楣吗? 关键词：接触电阻理论极限晶体管石墨金属电极化学气相沉积测量系统平均自由程

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