Fabrication of high-quality all-graphene devices with low contact resistances

查看全文 作　　者：Rong [1]Yang;Shuang [1]Wu;Duoming [1]Wang;Guibai [1]xie;Meng [1]Cheng;Guole [1]Wang;Wei [1]Yang;Peng [1]Chen;Dongxia [1]Shi;Guangyu [1,2]Zhang

机构地区：[1]Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;[2]Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing 100190, China

出　　处：《Nano Research》索引2014年第7卷第10期,共8页

基　　金：This work was supported by the National Basic Research Program of China (973 Program) (Nos. 2013CB934500 and 2013CBA01600), the National Natural Science Foundation of China (NSFC) (Nos. 61325021, 91223204, 11174333 and 11204358), and the Chinese Academy of Sciences. 摘　　要：All-graphene 设备是有简单布局和低接触电阻的 graphene 设备的新班。这里,我们为 all-graphene 设备报导干净制造策略经由一帮助缺点的各向异性的蚀刻。同样制作的 graphene 没有污染并且保留太古的 graphene 的质量。在在一条 bilayer graphene 隧道和一个多层的 graphene 电极之间的房间温度(RT ) 的接触抵抗能象 5 关键词：接触电阻石墨器件质量制备制造策略各向异性集成电路

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