Growth of skyrmionic MnSi nanowires on Si: Critical importance of the SiO2 layer

查看全文 作　　者：Siwei [1,2]Tang;Ivan [2]Kravchenko;Jieyu [1,2]Yi;Guixin [2]cao;Jane [3]Howe;David [1]Mandrus;Zheng [2]Gai 机构地区：[1]Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Knoxville, TN 37996, USA;[2]Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA;[3]Hitachi High Technologies Inc., Rexdale, ON M9W 6A4, Canada 出　　处：《Nano Research》索引2014年第7卷第12期,共9页 摘　　要：在 B20 结构的 MnSi 是形成一个 skyrmion 格子的一个原型的螺旋磁体,在应用磁场下面的一块像旋涡的旋转质地。我们系统地经由控制帮助氧化物的化学蒸汽免职探索了单个水晶 MnSi nanowires 的合成并且观察了 skyrmion 的典型签名在 MnSi nanowires 的磁性的订。SiO 的厚度 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > Si 底层上的 2 层在获得 B20 MnSi skyrmion nanowires 的高收益起关键作用。生长机制被建议那与最佳 SiO 的存在一致 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 2 厚度。一张生长阶段图为各种各样的 MnSi nanostructures 基于各种各样的生长条件的广泛的研究被构造。helicoidal 和 skyrmion 的坚持在一个维的电线中的磁性的订被交流和 dc 直接揭示磁性的大小。 关 键 词：SiO2层 硅纳米线 生长机制 硅锰 化学气相沉积法 硅纳米结构 外加磁场 控制氧化