Effect of carrier screening on ZnO-based resistive switching memory devices

查看全文 作　　者：Yihui [1]Sun;Xiaoqin [1]Yan;Xin [1]Zheng;Yong [1]Li;Yichong [1]Liu;Yanwei [1]Shen;Yi [1]Ding;Yue [1,2]Zhang

机构地区：[1]State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China;[2]Beijing Municipal Key Laboratory of New Energy Materials and Technologies, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China

出　　处：《Nano Research》索引2017年第10卷第1期,共10页

基　　金：Acknowledgements This work was supported by the National Basic Research Program of China (No. 2013CB932602), the Program of Introducing Talents of Discipline to Universities (No. B14003), National Natural Science Foundation of China (Nos. 51527802, 51372023, and 51232001), Beijing Municipal Science & Technology Commission, the Fundamental Research Funds for Central Universities. 摘　　要：屏蔽效果的搬运人在绝缘的材料通常发生。它减少电的潜在的坡度,否定地因此影响抵抗随机的存取存储器(RRAM ) 的功能设备。在这个工作制作的一台 Au/ZnO film/Al-doped ZnO 设备没展出抵抗切换(RS ) ,它被归因于屏蔽效果的搬运人。因此,退火被用于减轻屏蔽效果,显著地提高 RS 性质。另外,不同开/关比率为各种各样的偏爱价值被获得,并且屏蔽效果被说明为由调查电子运输机制。而且,不同退火温度被采用在 ZnO 电影调制自由搬运人集中减轻屏蔽效果。最大的开/关比率在 600 e moduli i 的退火的温度到达了 10 ⁵ 吗?? 关键词：抵抗开关搬运人屏蔽效果搬运人集中潜在的坡度退火

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