Direct observation of metastable face-centered cubic Sb2Te3 crystal

查看全文 作　　者：Yonghui [1]Zheng;Mengjiao [2]Xia;Yan [1]Cheng;Feng [1]Rao;Keyuan [1]Ding;Weili [1]Liu;Yu [2]Jia;Zhitang [1]Song;Songlin [1]Feng

机构地区：[1]State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;[2]International Laboratory of Quantum Functional Materials of Henan, School of Physics and Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China

出　　处：《Nano Research》索引2016年第9卷第11期,共10页

基　　金：This work was supported by the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences (No. XDA09020402), National Integrate Circuit Research Program of China (No. 2009ZX02023-003), National Natural Science Foundation of China (Nos. 61076121, 61176122, 61106001, 61261160500, and 61376006), Science and Technology Council of Shanghai (Nos. 13ZR1447200 and 13DZ2295700). The supercomputer time was provided by the National Supercomputer Center in Tianjin, and the calculations were performed on TianHe-1 (A). 摘　　要：尽管阶段变化记忆技术在过去的二十年急速地发展了,关键切换材料的认知仍然忽视一个重要成员,以脸为中心的立方的 Sb ₂ Te ₃ 。除了著名平衡六角形的 Sb ₂ Te ₃ 水晶,我们证明亚稳的以脸为中心的立方的 Sb 是 ₂ Te ₃ 阶段确实存在。如此的亚稳的晶体包含随机占据 cationic 格子地点的空缺的大集中。以脸为中心对 Sb ₂ Te ₃, 由空缺聚集伴随了,与 Ge ₂ Sb ₂ Te ₅ 合金。我们证明像共有原子价的契约在亚稳的 Sb ₂ Te ₃ 水晶,从理想的反响的特征背离。如果一种合适的做技术被采用,亚稳的 Sb ₂ Te ₃ 阶段能为认识到 reversibly 快速、低精力的阶段变化存储器应用程序是有希望的。我们的学习可以在新奇阶段变化材料的设计提供新卓见进商品化的 Ge-Sb-Te 系统和帮助增加阶段变化存储器设备的表演。 关键词：分阶段执行变化记忆 Sb ₂ Te ₃ 以脸为中心立方 TEM ab initio 理论模拟

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