High-quality industrial n-type silicon wafers with an efficiency of over 23% for Si heterojunction solar cells

查看全文 作　　者：Fanying [1]MENG;Jinning [1]LIU;Leilei [1]SHEN;Jianhua [1]SHI;Anjun [1]HAN;Liping [1]ZHANG;Yucheng [1]LIU;Jian [1]YU;Junkai [2]ZHANG;Rui [2]ZHOU;Zhengxin [1]LIU

机构地区：[1]Research Center for New Energy Technology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology (SIMIT), Shanghai 200050, China;[2]Xi'an Longi Silicon Materials Corp., Xi'an 710100, China

出　　处：《Frontiers in Energy》索引2017年第11卷第1期,共7页

摘　　要：展示更长的少数搬运人一生和某些金属污染的更高的忍耐的 n 类型 CZ-Si 晶片能提供最好的基于 Si 的太阳能电池之一。在这研究,在顶与不同晶片被制作的 Si heterojuction ( SHJ )太阳能电池,中间和铸块锭的尾巴位置,展出了稳定的高效率>22%尽管有抵抗力和一生的各种各样的侧面,它表明了n类型铸块锭的高材料利用。为有效地把日光变换成电力,另外,金字塔尺寸,金字塔密度和 Cz-Si 晶片的表面的粗糙被扫描电子显微镜(SEM ) 和传播电子显微镜(TEM ) 调查。而且, SHJ 太阳能电池的依赖表面地形学上的开电路的电压被讨论,它显示表面金字塔的一致性帮助改进开电路的电压和变换效率。而且,模拟表明 SHJ 太阳能电池的最高的效率能被晶片与 100 m 的厚度完成。幸好,有 100 m 的晶片厚度的 SHJ 太阳能电池的超过 23% 变换效率在飞行员生产线基于房间制造过程的系统的优化被获得。显然,两 n 类型铸块锭的大可获得性和更薄的晶片强烈支持了高效率 SHJ 太阳能电池的更低的费用制造。 关键词：高效太阳能电池硅晶片少数载流子寿命异质结表面粗糙度 N型工业品质

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