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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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1篇 您的检索式：作者名="A.Zrenner"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1InP δ掺杂的输运特性显示文摘测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.程文超 A.Zrenner 叶秋怡 F.Koch 1989Journal of Semiconductors1989，10，12：1
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