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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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11篇 您的检索式：作者名="ABSTREITER G"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Enhanced band-gap luminescence in strain-symmetrized (Si)m/(Ge)n superlattices 显示文摘 ABSTREITER G OLAJOS J 1993Phys Rev B1993，47，7：1
2Growth and properties of InGaAs nanowires on silicon显示文摘KOBLMULLER G ABSTREITER G 2014Physica Status SolidiRapid Research Letters2014，8，1：1
3Step bunching and correlated SiGe nanostructures on Si (113) 显示文摘 Zhu J H Abstreiter G 2000Thin Solid Film2000，369，12：1
4Photoluminescence in short-period Si/Ge strained-layer superlattices显示文摘Zachai R Eberl K Abstreiter G 1990Phys Rev Lett1990，64，：1
5Double Wave- length Selective GaAs/A1GaAs Infrared Detector 显示文摘Kock A Gornik E Abstreiter G 1992Applied Physics Letters1992，60，16：1
6Lateral intersubband photocurrent spectroscopy on InAs/GaAs quantum dots 显示文摘CHU L ZRENNER A B6HM G ABSTREITER G 2000Applied Physics Letters2000，76，14：1
7Influence of a thin AlAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots显示文摘ARZBERGER M KASBERGER U BOHM G ABSTREITER G 1999Appl Phys Lett1999，75，：1
8Selective optical charge generation,storage,and readout in a single self-assembled quantum dot显示文摘Heiss D Jovanov V Caesar M Bichler M Abstreiter G Finley J J 2009Appl Phys Lett2009，94，07：1
9Double wavelength selective GaAs/AIGaAs infrared detector device显示文摘KOCK A GORNIK E ABSTREITER G 1992ApplPhyaLett1992，60，16：1
10Molecular beam epitaxy growth and thermal stability of Si1-xGex layers on extremely thin silicon-on-insulator substrates显示文摘Brunner K Dobler H Abstreiter G 1998Thin Solid Films1998，321，：1
11p型掺杂Si/Ge量子点的电子拉曼散射(英文)显示文摘在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si/Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射,此电子跃迁的能量为105meV。Si/Ge量子点Ge Ge模的共振拉曼散射表明此空穴能级间的电子拉曼散射与Γ点附近的E0(≈2.52eV)发生了共振,而E1的能量小于2.3eV.变温实验和偏振实验进一步证实了我们的指认。所有观测的实验数据与6 bandk·p能带结构理论的计算结果吻合得很好。谭平恒 周霞 杨富华 BOUGEARD D SABATHIL H VOGL P ABSTREITER G BRUNNER K 2004光散射学报2004，16，1：0
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