5篇
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| 1 | Phosphorus and boron diffusion in silicon under equilibrium conditions显示文摘 | Christensen J S Radamson H Kuznetsov A Yu | 2003 | Applied Physics Letters2003，82，14： | 1 |
| 2 | CVD外延锗锡及其光电探测器最新研究进展显示文摘锗锡具有吸收系数高、直接带隙发光效率高、可用CVD生长、器件制备与硅工艺兼容等优势,是非常重要的硅基光电子材料。锗锡CVD生长技术及其探测器在理论意义和长远的军民用价值,受到欧美军事部门及政府机构的广泛资助。综述了锗锡CVD生长技术的研究历史、生长难点与发展趋势。基于CVD技术生长的锗锡,并结合锗锡探测器的发展史,探讨了高性能锗锡探测器在短波红外(SWIR)、中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)波段应用所面临的关键科学问题,强调了锗锡单光子雪崩光电二极管(SPAD)的优势及其在量子计算、激光雷达和无人驾驶等领域的应用前景。 | 苗渊浩 王桂磊 孔真真 赵雪薇 芦宾 董林鹏 RADAMSON H H | 2021 | 微纳电子与智能制造2021，3，1： | 1 |
| 3 | Phosphorus profile control in low-temperature silicon epitaxy by reduced pressure chemical vapor deposition显示文摘 | Suvar E Radamson H H Grahn J V | 2002 | Materials Science and Engineering2002，，89： | 1 |
| 4 | Liquid phase epitaxial growth of SiC显示文摘 | SYVJRVI M YAKIMOVA R RADAMSON H H | 1999 | Journal of Crystal Growth1999，197，1： | 1 |
| 5 | 张应力调制SOI FinFET器件及其性能显示文摘针对具有立体结构的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管(SOI FinFET),研究了表面淀积50 nm张应力SiN薄膜后SOI FinFET器件的电学特性,并对关键电学参数,如开态电流I_(on)、电流开关比I_(on)/I_(off)、跨导g_(m)、漏致势垒降低V_(DIBL)和亚阈值摆幅S_(ss)等,进行了深入分析。研究结果表明,应变对栅长较小器件的I_(on)和S_(ss)有更明显的改善,随着张应力的引入使g_(m)提升,从而显著提高了器件的I_(on),且I_(on)/I_(off)较引入前有着2个量级的提升。而g_(m)的提升归结于张应力引入而导致SOI FinFET沟道载流子迁移率的提升。V_(DIBL)和S_(ss)的改善,表明张应力的引入使器件的栅控能力显著提高。 | 王一杰 张静 林鸿霄 李梦达 徐步青 RADAMSON H H 闫江 | 2023 | 现代应用物理2023，14，3： | 0 |
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