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| 1 | Recovery of edge states of graphene nanoislands on an iridium substrate by silicon intercalation显示文摘有限尺寸的 graphene 表例如 graphene nanoislands (GNI ) ,在基于 graphene 的 nanoelectronics 为实际应用正在答应候选人。有明确的之字形边的 GNI 被预言有之字形边 graphene nanoribbons 的类似于那些的极化纺纱的边状态,它能完成 graphene spintronics。然而,因为和使用的 substrate.We 的相互作用,金属底层上的 GNI 没有边状态,这被报导了扫描通道显微镜学的联合,光谱学,并且密度证明边在红外底层上 GNI 说的功能的理论计算能被设置恢复在 GNI 和底层之间的 Si 原子的层。我们也发现边状态逐渐地与增加岛尺寸变到费密水平。这个工作提供一个方法在金属底层上在高质量的 graphene nanostructures 调查极化纺纱的边状态。 | Hui Chen Yande Que Lei Tao Yu-Yang Zhang Xiao Lin Wende Xiao Dongfei Wang Shixuan Du Sokrates T. Pantelides Hong-Jun Gao | 2018 | Nano Research2018，11，7： | 1 |
| 2 | Sulfur-doped graphene nanoribbons with a sequence of distinct band gaps显示文摘不同于 graphene 表, graphene nanoribbons (GNR ) 能展出能被控制杂质做和 GNR 宽度和边结构调节的半导体的乐队差距特征。然而,完成如此的控制是在 GNR 的制造的主要挑战。V 形臂章类型 GNR 最近经由太古或代替 N 的 oligophenylene 单体的帮助表面的聚合被综合。原则上, GNR 异质接面能被混合二不同单体制作。在这份报纸,我们用代替硫的 oligophenylene 单体报导 V 形臂章类型 GNR 的制造和描述第一次生产 GNR 和相关 heterostructures。第一原则的计算证明 GNR 差距能被经由 debromination 和 intramolecular cyclodehydrogenation 从 cyclodehydrogenated 异构体使用不同的硫配置定制。这个特征应该由设计他们的硫配置为多重 GNR 异质接面的创造启用一条新途径。这些预言经由扫描通道显微镜学并且扫描通道光谱学被证实了。例如,我们发现了包含 S GNR 与不同乐队差距包含片断,即,导致量的一个序列的多重异质接面的一个序列点。这个不平常的 intraribbon 异质接面序列可能在使用量点的 nanoscale optoelectronic 应用是有用的。 | Yan-Fang Zhang Yi Zhang Geng Li Jianchen Lu Yande Que Hui Chen Reinhard Berger Xinliang Feng Klaus Müllen Xiao Lin Yu-Yang Zhang Shixuan Du Sokrates T. Pantelides Hong-Jun Gao | 2017 | Nano Research2017，10，10： | 1 |
| 3 | Fabrication and manipulation of nanosized graphene homojunction with atomically-controlled boundaries显示文摘Controlling the atomic configurations of structural defects in graphene nanostructures is crucial for achieving desired functionalities.Here,we report the controlled fabrication of high-quality single-crystal and bicrystal graphene nanoislands(GNI)through a unique top-down etching and post-annealing procedure on a graphite surface.Low-temperature scanning tunneling microscopy(STM)combined with density functional theory calculations reveal that most of grain boundaries(GBs)formed on the bicrystal GNIs are 5-7-5-7 GBs.Two nanodomains separated by a 5-7-5-7 GB are AB stacking and twisted stacking with respect to the underlying graphite substrate and exhibit distinct electronic properties,forming a graphene homojunction.In addition,we construct homojunctions with alternative AB/twisted stacking nanodomains separated by parallel 5-7-5-7 GBs.Remarkably,the stacking orders of homojunctions are manipulated from AB/twist into twist/twist type through a STM tip.The controllable fabrication and manipulation of graphene homojunctions with 5-7-5-7 GBs and distinct stacking orders open an avenue for the construction of GBs-based devices in valleytronics and twistronics. | Hui Chen De-Liang Bao Dongfei Wang Yande Que Wende Xiao Yu-Yang Zhang Jiatao Sun Shixuan Du Hong-Jun Gao | 2020 | Nano Research2020，13，12： | 0 |
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