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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜显示文摘用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。	张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌	2007	半导体光电2007，28，4：	0

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